TK10A80W,S4X, TK10A80W.S4X, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062501599
- Артикул
- TK10A80W,S4X
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 1.7
- Серия
- TK10A80W
- Упаковка
- Tube
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 1 050 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
Технические параметры
| Вес, г | 1.7 |
| Серия | TK10A80W |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 10 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 19 nC |
| Время нарастания | 35 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 9.5 A |
| Коммерческое обозначение | DTMOSIV |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 460 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 120 ns |
| Типичное время задержки при включении | 65 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |