TK10A60W,S4VX(M,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220SIS, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044637516
- Артикул
- TK10A60W,S4VX(M
- Бренд
- Toshiba
- Width
- 4.5mm
- Series
- DTMOSIV
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.7
Цена по запросу
(от 900 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 4.5mm |
| Series | DTMOSIV |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.7 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220SIS |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.7V |
| Особенности | высоковольтный |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.7V |
| Maximum Drain Source Resistance | 380 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.7 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.327 Ом |