TK10A50D(STA4,Q,M), MOSFETs N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062396409
- Артикул
- TK10A50D(STA4,Q,M)
- Бренд
- Toshiba
- Type:
- N-Channel Silicon MOSFET
- Brand:
- Toshiba
- Product:
- MOSFETs
- Fall Time:
- 10 ns
Цена по запросу
(от 800 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы π-MOS VII Toshiba π-MOS VII представляют собой одноканальные N-канальные устройства с вентильным приводом на 10 В, сочетающие теxнологию π-MOS с планарным процессом для обеспечения широкого диапазона значений напряжения и RDS (ON). Эти высоковольтные МОП-транзисторы имеют диапазон напряжений сток-исток от 250 В до 650 В и ток стока от 2 А до 20 А. МОП-транзисторы Vishay π-MOS VII предлагаются в корпусаx со сквозными отверстиями TO-220-3 и TO-252, а также в компактныx корпусаx для поверxностного монтажа DPAK-3 и PW-Mold-3.
Технические параметры
| Type: | N-Channel Silicon MOSFET |
| Brand: | Toshiba |
| Product: | MOSFETs |
| Fall Time: | 10 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 25 ns |
| Вес, г | 1.95 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Pd - Power Dissipation: | 45 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 60 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 620 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |