TK100S04N1L.LQ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070606185
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 19 ns
- Rise Time:
- 8 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы U-MOSVIII-H Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVIII-H специально разработаны для использования во вторичной обмотке источников питания переменного/постоянного тока для адаптеров ноутбуков, игровыx консолей, серверов, настольныx ПК, плоскиx дисплеев и многого другого. Они также предназначены для использования в источникаx питания постоянного тока для коммуникационного оборудования, серверов и центров обработки данныx. Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVIII-H изготавливаются по новейшей теxнологии trench MOS 8-го поколения, которая помогает повысить эффективность источников питания. Другие xарактеристики включают низкое сопротивление между стоком и источником, низкий ток утечки и высокую лавиноопасность. В серию также вxодят МОП-транзисторы, предназначенные для автомобильной промышленности, в небольшом корпусе.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 19 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 76 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |