TK100E08N1,S1X(S, 80V 100A 255W 3.2mOhm@10V,50A 4V@1mA N Channel TO-220 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017622901
- Артикул
- TK100E08N1,S1X(S
- Бренд
- Toshiba
- Type
- 1PCSNChannel
- Вес, г
- 2.68
- No. of Pins
- 3Pins
- Channel Type
- N Channel
Цена по запросу
(от 370 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 2.68 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Transistor Case Style | TO-220 |
| Power Dissipation (Pd) | 255W |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 80V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 214A |
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 255 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.2mΩ@10V, 50A |