TK099V65Z,LQ(S, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013406038
- Артикул
- TK099V65Z,LQ(S
- Бренд
- Toshiba
- Series
- TK099V65Z
- Pin Count
- 5
- Вес, г
- 0.001
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 2 260 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевый N-канальный МОП-транзистор Toshiba, обладающий высокой скоростью переключения и меньшей емкостью. В основном он используется в импульсныx источникаx питания.
Технические параметры
| Series | TK099V65Z |
| Pin Count | 5 |
| Вес, г | 0.001 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DFN8x8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.09 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 230 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.08 Ом |