Моя заявка (0)

TK090E65Z,S1X(S,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220, Through Hole

TK090E65Z,S1X(S,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044637362
Артикул
TK090E65Z,S1X(S
Бренд
Toshiba
Вес, г
2
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-220
Цена по запросу
(от 1 960 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г2
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
КорпусTO-220
СтруктураN-Channel
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleTO-220
Особенностивысоковольтный
Drain Source Voltage Vds650V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id30A
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт230
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10V

Техническая документация