Моя заявка (0)

TK080N60Z1,S1F(S,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 30 A, 0.08 ohm, TO-247, Through Hole

TK080N60Z1,S1F(S,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 30 A, 0.08 ohm, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050715363
Артикул
TK080N60Z1,S1F(S
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.001
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
DTMOSVI Series
Цена по запросу
(от 2 880 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.001
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
Product RangeDTMOSVI Series
СтруктураN-Channel
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleTO-247
Особенностивысоковольтный
Drain Source Voltage Vds600V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id30A
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Пороговое напряжение на затворе3…5
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт211W
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.08 Ом

Техническая документация