TK065Z65Z,S1F, MOSFETs PWR MOSFET TRANSISTR PD=270W F=1MHz
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009089913
- Артикул
- TK065Z65Z,S1F
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 4.2 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 25 ns
Цена по запросу
(от 2 880 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
TK065Z65Z Кремниевый N-канальный МОП-транзистор Toshiba TK065Z65Z Кремниевый N-канальный МОП-транзистор Toshiba TK065Z65Z - это МОП-транзистор с рассеиваемой мощностью 270 Вт, обладающий высокой скоростью переключения и меньшей емкостью. Этот силовой МОП-транзистор работает при температуре от -55°C до 150°C и низком сопротивлении стока-источника 0,054 Ом. МОП-транзистор Toshiba TK065Z65Z поддерживает режим усиления от 3 В до 4 В, постоянный ток стока 38 А (при 150°C) и напряжение пробоя между стоком и источником питания 650 В. Типичные области применения - импульсные источники питания.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 4.2 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 25 ns |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-4L-4 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 62 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 25 |
| Особенности | высокочастотный |
| Pd - Power Dissipation: | 270 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 60 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 130 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 38 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 65 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 270 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |