TK065U65Z,RQ, 650V 38A 270W 65mOhm@19A,10V 4V@1.69mA 1PCSNChannel - MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043945304
- Артикул
- TK065U65Z,RQ
- Бренд
- Toshiba
- Type:
- Silicon N-Channel MOSFET
- Brand:
- Toshiba
- Product:
- MOSFETs
- Fall Time:
- 4.2 ns
Цена по запросу
(от 1 230 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы DTMOSVI МОП-транзисторы Toshiba DTMOSVI обладают низким сопротивлением стока-истока - 0,033 Ом (типичное значение), напряжением стока-истока - 650 В и током стока - 57 А. МОП-транзисторы DTMOSVI обеспечивают высокую скорость переключения при меньшей емкости. Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для использования в импульсныx источникаx питания.
Технические параметры
| Type: | Silicon N-Channel MOSFET |
| Brand: | Toshiba |
| Product: | MOSFETs |
| Fall Time: | 4.2 ns |
| Rise Time: | 25 ns |
| Вес, г | 1.14 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | 2-10AF1A-9 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 62 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Pd - Power Dissipation: | 270 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 60 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 130 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 38 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 51 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |