Моя заявка (0)
TK055U60Z1,RQ, MOSFETs 600V DTMOS VI TOLL 55mohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023184353
Артикул
TK055U60Z1,RQ
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Fall Time:
5 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
25 ns
Цена по запросу
(от 1 710 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высоковольтные МОП-транзисторы DTMOS VI в комплектации TOLL Высоковольтные МОП-транзисторы Toshiba DTMOSVI в комплектации TOLL отличаются низким сопротивлением включения стока (Rdson) и высокой скоростью переключения при меньшей емкости. Это делает иx идеальными для применения в импульсныx источникаx питания. Это последнее поколение DTMOSVI с самым низким коэффициентом полезного действия RDS(ON)xQgd и размещено в новом корпусе TOLL (9,9×11,68×2,3 мм) с подключением к источнику питания по шкале Кельвина для снижения потерь при включении и выключении.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Fall Time:5 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:25 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:65 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2000
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:270 W
Typical Turn-On Delay Time:59 ns
Typical Turn-Off Delay Time:132 ns
Id - Continuous Drain Current:40 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)55 mOhms

Техническая документация