Моя заявка (0)
TK040N65Z,S1F, MOSFETs Power MOSFET 57A 360W 650V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004726882
Артикул
TK040N65Z,S1F
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Series:
TK040N65Z
Fall Time:
5 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 3 060 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы DTMOSVI МОП-транзисторы Toshiba серии DTMOSVI обладают низким сопротивлением стока при включении (RDSВКЛЮЧЕНИИ) = 0,033 Ом (тип.). Эти устройства имеют напряжение стока-истока 650 В и ток стока 57 А. МОП-транзисторы серии DTMOSVI обеспечивают высокую скорость переключения при меньшей емкости. Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для использования в импульсныx источникаx питания.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Series:TK040N65Z
Fall Time:5 ns
Packaging:Tube
Rise Time:65 ns
Tradename:DTMOSVI
Вес, г6
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:TO-247-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:105 nC
СтруктураPower MOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:360 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:120 ns
Typical Turn-Off Delay Time:170 ns
Id - Continuous Drain Current:57 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:40 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30
Пороговое напряжение на затворе-8 V, +22 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А57
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт360
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация