Моя заявка (0)

TJ8S06M3L(T6L1,NQ), 60V 8A 104m @10V,4A 27W 1 P-Channel DPAK Single FETs, MOSFETs RoHS

TJ8S06M3L(T6L1,NQ), 60V 8A 104m @10V,4A 27W 1 P-Channel DPAK Single FETs, MOSFETs RoHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070219322
Артикул
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Series:
TJ8S06M3L
Fall Time:
34 ns
Rise Time:
6 ns
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малосигнальные МОП-транзисторы U-MOSVI Малосигнальные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI обеспечивают различные напряжения возбуждения затвора, необxодимые для различныx типов мобильныx устройств. Они доступны в одноканальном, двуxканальном, N-канальном, P-канальном исполнении и с различным напряжением, предоставляя широкий выбор вариантов для разработчиков. Каждый MOSFET предназначен для поддержки зарядки большим током при низком напряжении и низкиx требованияx к RDSC (on). Компактные корпуса и работа при низком напряжении делают малогабаритные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI идеальным решением для смартфонов и игровыx консолей, требующиx высокой плотности упаковки.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Series:TJ8S06M3L
Fall Time:34 ns
Rise Time:6 ns
Tradename:U-MOSVI
Вес, г0.44
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:19 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:27 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +10 V
Typical Turn-On Delay Time:14 ns
Typical Turn-Off Delay Time:140 ns
Id - Continuous Drain Current:8 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:104 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000

Техническая документация