Моя заявка (0)

TJ8S06M3L,LXHQ, 60V 8A 104m @10V,4A 27W 3V 1 P-Channel DPAK MOSFETs ROHS

TJ8S06M3L,LXHQ, 60V 8A 104m @10V,4A 27W 3V 1 P-Channel DPAK MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062403474
Артикул
TJ8S06M3L,LXHQ
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Fall Time:
34 ns
Rise Time:
6 ns
Вес, г
0.4
Цена по запросу
(от 430 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные силовые МОП-транзисторы U-MOSVI Toshiba Автомобильные силовые МОП-транзисторы U-MOSVI - это P-канальные МОП-транзисторы напряжением 40 В, предназначенные для применения в автомобилестроении. Напряжение на приводе затвора этиx устройств составляет -4,5 В по сравнению с -6 В для обычныx устройств в комплектации DPAK+. Эта функция позволяет использовать системы даже при падении напряжения аккумулятора. Силовые МОП-транзисторы Toshiba Automotive U-MOSVI отличаются низким сопротивлением включению.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Fall Time:34 ns
Rise Time:6 ns
Вес, г0.4
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Product Type:MOSFETs
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DPAK-3(TO-252-3)
Part # Aliases:TJ8S06M3L, LXHQ(O
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:19 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:2000
Pd - Power Dissipation:27 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +10 V
Typical Turn-On Delay Time:14 ns
Typical Turn-Off Delay Time:140 ns
Id - Continuous Drain Current:8 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Rds On - Drain-Source Resistance:104 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V

Техническая документация