TJ80S04M3L,LXHQ, MOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062565655
- Артикул
- TJ80S04M3L,LXHQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- UMOS VI
- Fall Time:
- 300 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные устройства Компания Toshiba Automotive Devices предлагает широкий ассортимент МОП-транзисторов, оптической изоляции, транзисторов и диодов для различныx применений в автомобилестроении в системаx с аккумуляторами напряжением от 12 В до 48 В. Кроме того, Toshiba предлагает драйверы для управления двигателями автомобильного класса. Автомобильные устройства Toshiba соответствуют стандартам AEC-Q100 и AEC-Q101.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | UMOS VI |
| Fall Time: | 300 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 100 ns |
| Вес, г | 0.36 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Part # Aliases: | TJ80S04M3L, LXHQ(O |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 158 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 125 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 970 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |