TJ60S06M3L,LXHQ, 60V 60A 100W 11.2mOhm@30A,10V 3V@1mA 1 PIece P-Channel DPAK MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066201080
- Артикул
- TJ60S06M3L,LXHQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- UMOS VI
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- +10V, -20V
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные устройства Компания Toshiba Automotive Devices предлагает широкий ассортимент МОП-транзисторов, оптической изоляции, транзисторов и диодов для различныx применений в автомобилестроении в системаx с аккумуляторами напряжением от 12 В до 48 В. Кроме того, Toshiba предлагает драйверы для управления двигателями автомобильного класса. Автомобильные устройства Toshiba соответствуют стандартам AEC-Q100 и AEC-Q101.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | UMOS VI |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Fall Time: | 250 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 100 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Part # Aliases: | TJ60S06M3L, LXHQ(O |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 156 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | 175°C |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 30A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Power Dissipation (Max) | 100W(Tc) |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 127 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 156 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 970 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.2 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7760 pF @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |