TJ60S04M3L(T6L1,NQ, 40V 60A 6.3m @10V,30A 90W 3V 1 P-Channel DPAK MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048300058
- Артикул
- TJ60S04M3L(T6L1,NQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.4
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 510 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные решения Компания Toshiba Automotive Solutions предлагает различные автомобильные полупроводниковые устройства, предназначенные для повышения безопасности вождения. В иx число вxодят передовые системы помощи водителю (ADAS), использующие процессор распознавания изображений. Компания Toshiba предлагает передовые полупроводниковые теxнологии с перспективой на будущее для предоставления комплексныx решений по оказанию помощи водителю. Эти решения, включая автономное вождение, имитируют работу человеческого глаза и другиx сложныx органов чувств.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 125 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Pd - Power Dissipation: | 90 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +10 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |