TJ50S06M3L,LXHQ, MOSFETs 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009089821
- Артикул
- TJ50S06M3L,LXHQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- UMOS VI
- Fall Time:
- 195 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 660 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные устройства Компания Toshiba Automotive Devices предлагает широкий ассортимент МОП-транзисторов, оптической изоляции, транзисторов и диодов для различныx применений в автомобилестроении в системаx с аккумуляторами напряжением от 12 В до 48 В. Кроме того, Toshiba предлагает драйверы для управления двигателями автомобильного класса. Автомобильные устройства Toshiba соответствуют стандартам AEC-Q100 и AEC-Q101.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | UMOS VI |
| Fall Time: | 195 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 77 ns |
| Вес, г | 0.36 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Part # Aliases: | TJ50S06M3L, LXHQ(O |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 124 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 90 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 100 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 710 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 13.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +10 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 90 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 13.8 mOhms |