TJ20S04M3L.LXHQ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070632326
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 90 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 16 ns
Цена по запросу
(от 94 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные силовые МОП-транзисторы U-MOSVI Toshiba Автомобильные силовые МОП-транзисторы U-MOSVI - это P-канальные МОП-транзисторы напряжением 40 В, предназначенные для применения в автомобилестроении. Напряжение на приводе затвора этиx устройств составляет -4,5 В по сравнению с -6 В для обычныx устройств в комплектации DPAK+. Эта функция позволяет использовать системы даже при падении напряжения аккумулятора. Силовые МОП-транзисторы Toshiba Automotive U-MOSVI отличаются низким сопротивлением включению.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 90 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Part # Aliases: | TJ20S04M3L, LXHQ(O |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 37 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Pd - Power Dissipation: | 41 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 270 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 22.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |