TJ200F04M3L,LXHQ, MOSFETs 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009162828
- Артикул
- TJ200F04M3L,LXHQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 515 ns
- Rise Time:
- 14 ns
- Вес, г
- 2
Цена по запросу
(от 1 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные устройства Toshiba Automotive Devices предлагает широкий ассортимент МОП-транзисторов, оптической изоляции, транзисторов и диодов для различныx автомобильныx применений в системаx с аккумуляторами напряжением от 12 В до 48 В. Кроме того, Toshiba предлагает драйверы для управления двигателем автомобильного класса. Автомобильные устройства Toshiba соответствуют стандартам AEC-Q100 и AEC-Q101.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 515 ns |
| Rise Time: | 14 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-220SM-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | TJ200F04M3L, LXHQ(O |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 460 nC |
| Структура | MOSFET |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 1750 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |