P-Channel MOSFET, 15 A, 40 V, 3-Pin DPAK TJ15P04M3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009716910
- Артикул
- TJ15P04M3
- Бренд
- Toshiba
- Width
- 7.18mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Низкое сопротивление стока при включении источника: RDS (ВКЛ.) = 28 Мом (тип.) (VGS = -10 В) Низкий ток утечки: IDSS = -10 мкА (макс.) (VDS = -40 В)
Технические параметры
| Width | 7.18mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 29 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 48 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 15 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 29 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |