TIP50, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 1 A, 40 W, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000104060
- Артикул
- TIP50
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 4.6 mm(Max)
- Height
- 9.15 mm(Max)
Цена по запросу
(от 185 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 400В, 1А, 40Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 4.6 mm(Max) |
| Height | 9.15 mm(Max) |
| Length | 10.4 mm(Max) |
| Series | 500V Transistors |
| Packaging | Tube |
| Вес, г | 2.676 |
| Длина | 10.4мм |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Высота | 9.15мм |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.6мм |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Размеры | 9.15 x 10.4 x 4.6мм |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Power Dissipation | 40Вт |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Тип корпуса | TO-220 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Pd - Power Dissipation | 40 W |
| DC Current Gain hFE Max | 150 |
| DC Current Gain hFE Min | 150hFE |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Gain Bandwidth Product fT | 10 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Collector- Base Voltage VCBO | 500 V |
| Continuous Collector Current | 1А |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Collector Emitter Voltage Max | 400В |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Тип транзистора | NPN |
| Число контактов | 3 |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 30 |
| DC Усиление Тока hFE | 150hFE |
| Частота Перехода ft | 10МГц |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 400 V |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальная рабочая частота | 10 MHz |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальный пост. ток коллектора | 1 А |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 500 В |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 400 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 10 |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 10 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 500 |