Моя заявка (0)

TIP42AG, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, Through Hole

TIP42AG, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000688384
Артикул
TIP42AG
Бренд
ON Semiconductor***
Brand
onsemi
Pin Count
3
Вес, г
2.04
Длина
10.53 mm
Цена по запросу
(от 192 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Рыночный спрос на этот продукт привел к увеличению сроков поставки. Сроки поставки могут меняться. Скидки на этот продукт не распространяются.

Технические параметры

Brandonsemi
Pin Count3
Вес, г2.04
Длина10.53 mm
СерияTIP42
Package TypeTO-220
Высота15.75 mm
КорпусTO-220
Ширина4.83 mm
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypePNP
УпаковкаTube
Power Dissipation65Вт
Структураpnp
Вид монтажаThrough Hole
DC Current Gain hFE Min15hFE
Minimum DC Current Gain15
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation65 W
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-220-3
Continuous Collector Current6А
Maximum Emitter Base Voltage5 V dc
Collector Emitter Voltage Max60В
Maximum Operating Temperature+150 °C
DC Усиление Тока hFE15hFE
Maximum Collector Emitter Voltage-60 V
Частота Перехода ft3МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Полярность ТранзистораPNP
Pd - рассеивание мощности65 W
Размер фабричной упаковки50
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток6 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора6 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)3 MHz

Техническая документация