Моя заявка (0)

TIP41CG,Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-220, Through Hole

TIP41CG,Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001850639
Артикул
TIP41CG
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor
Width
4.82mm
Height
15.75mm
Цена по запросу
(от 209 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые NPN-транзисторы НА полупроводниковыx

Технические параметры

RoHSDetails
BrandON Semiconductor
Width4.82mm
Height15.75mm
Length10.28mm
SeriesTIP41
PackagingTube
Pin Count3
Dimensions10.28 x 4.82 x 15.75mm
Вес, г2
Unit Weight0.211644 oz
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeTO-220AB
КорпусTO-220
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity50
Pd - Power Dissipation65 W
Minimum DC Current Gain15
Transistor ConfigurationSingle
Gain Bandwidth Product fT3 MHz
Maximum Power Dissipation65 W
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Maximum Operating Frequency1 MHz
Number of Elements per Chip1
Collector- Base Voltage VCBO100 V
Continuous Collector Current6 A
Maximum DC Collector Current6 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-65 °C
DC Collector/Base Gain hfe Min30
Maximum Collector Base Voltage100 V
Maximum Collector Emitter Voltage100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц3
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В100
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В100

Техническая документация