Моя заявка (0)

TIP41BG, 80V 65W 15@3A,4V 6A 3MHz 1.5V@6A,600mA NPN -65°C~+150°C@(Tj) TO-220 BIpolar TransIstors - BJT

TIP41BG, 80V 65W 15@3A,4V 6A 3MHz 1.5V@6A,600mA NPN -65°C~+150°C@(Tj) TO-220 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017646475
Артикул
TIP41BG
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Pin Count
3
Packaging:
Tube
Вес, г
2.08
Цена по запросу
(от 620 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ON Semiconductor TIP41B - это биполярный силовой транзистор, предназначенный для усилителей мощности общего назначения и коммутации.

Технические параметры

Brand:onsemi
Pin Count3
Packaging:Tube
Вес, г2.08
Technology:Si
Package TypeTO-220
Subcategory:Transistors
КорпусTO-220
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeThrough Hole
Package/Case:TO-220-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity:50
Minimum DC Current Gain15
Pd - Power Dissipation:65 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation65 W
Gain Bandwidth Product fT:3 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Maximum Operating Frequency1 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current6 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Collector- Base Voltage VCBO:80 V
Continuous Collector Current:6 A
Maximum DC Collector Current:6 A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage80 V dc
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:30
Maximum Collector Emitter Voltage80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.5 V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)600
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц3

Техническая документация