TIP31CG, Транзистор: NPN, биполярный, 100В, 3А, 40Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017537252
- Артикул
- TIP31CG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- NPN
- Mounting
- Through Hole
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 2.5
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 100В, 3А, 40Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| Type | NPN |
| Mounting | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2.5 |
| Длина | 10.53 mm |
| Серия | TIP31C |
| Lead Finish | Tin |
| Package Type | TO-220AB |
| Высота | 15.75 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Упаковка | Tube |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | -65 to 150 °C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Minimum DC Current Gain | 10 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Maximum Operating Frequency | 3 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1.2@375mA@3A V |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |