TIP31A, Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001003508
- Артикул
- TIP31A
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 70 ₽)
Минимальный заказ: 440 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 3А, 40Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.4 mm (Max) |
| Серия | TIP31A |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | TO-220 |
| Высота | 9.15 mm (Max) |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.6 mm (Max) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Power Dissipation | 40Вт |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | TO |
| Вид монтажа | Through Hole |
| DC Current Gain hFE Min | 50hFE |
| Minimum DC Current Gain | 25@1A@4V|10@3A@4V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Continuous Collector Current | 3А |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| DC Усиление Тока hFE | 50hFE |
| Maximum DC Collector Current (A) | 3 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@375mA@3A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V |