TIP29BG, Bipolar Transistors - BJT 1A 80V 30W NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006223710
- Артикул
- TIP29BG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 6
- Длина
- 10.53 mm
- Серия
- TIP29B
- Высота
- 15.75 mm
Цена по запросу
(от 126,65 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 1А, 30Вт, TO220-3 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| Вес, г | 6 |
| Длина | 10.53 mm |
| Серия | TIP29B |
| Высота | 15.75 mm |
| Ширина | 4.83 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |