TIP127G, Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 5А, 2Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017536624
- Артикул
- TIP127G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- RoHS
- Details
- Type
- PNP
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Биполярный транзистор TIP127G от производителя ONSEMI — это мощный компонент для различных электронных схем. Отличается высоким током коллектора до 5 А и напряжением коллектор-эмиттер до 100 В, что делает его подходящим для управления нагрузками с большим энергопотреблением. Тип Дарлингтон обеспечивает высокое усиление тока, а монтаж THT позволяет легко установить транзистор в печатную плату. Мощность устройства составляет 2 Вт, а корпус TO220AB обеспечивает надежность и долговечность. Используйте TIP127G для создания эффективных и мощных электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP, Дарлингтон Монтаж THT Ток коллектора, А 5 Напряжение коллектор-эмиттер, В 100 Мощность, Вт 2 Корпус TO220AB
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| RoHS | Details |
| Type | PNP |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 4.83 mm |
| Height | 15.75 mm |
| Length | 10.53 mm |
| Series | TIP127 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 4 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-220AB |
| Корпус | TO-220AB |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Darlington Transistors |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Pd - Power Dissipation | 65 W |
| Minimum DC Current Gain | 1000 0.5A 3V|1000 3A 3V |
| Maximum Base Current (A) | 0.12 |
| Transistor Configuration | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
| Continuous Collector Current | 5 A |
| Maximum DC Collector Current | 5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum DC Current Gain Range | 500 to 3600 |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 1000 |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Cut-off Current | 200 uA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
| Typical Transition Frequency (MHz) | 4(Min) |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Continuous Collector Current | 5 A |
| Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 150 |
| Typical Current Gain Bandwidth (MHz) | 4(Min) |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 100 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (uA) | 200 |
| Maximum Continuous DC Collector Current (A) | 5 |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 4 V |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 2 12mA 3A|4 20mA 5A |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |