TIP122G,Darlington Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 65 W, 5 A, TO-220, 3 Pins

Name: TIP122G,Darlington Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 65 W, 5 A, TO-220, 3 Pins
Brand: ON Semiconductor***
SKU: 8231462122

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Цена по запросу

(от 125 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 65 Вт

Width	10.28mm
Mounting	Through Hole
Polarity	NPN
Packaging	Rail/Tube
Pin Count	3
Вес, г	27.22
Package Type	TO-220
Rad Hardened	No
Корпус	TO-220 \| to-220
Configuration	Single
Mounting Type	Through Hole
DC Current Gain	1000
Transistor Type	NPN
Power Dissipation	2(W)
Number of Elements	1
Структура	2 x npn
Emitter-Base Voltage	5(V)
Operating Temp Range	-65C to 150C
Collector Current (DC)	5(A)
Collector-Base Voltage	100(V)
Minimum DC Current Gain	1000
Transistor Configuration	Single
Collector-Emitter Voltage	100(V)
Maximum Power Dissipation	65 W
Number of Elements per Chip	1
Collector Current (DC) (Max)	5 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Cut-off Current	0.5mA
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	2(V)
Maximum Continuous Collector Current	8 A
Operating Temperature Classification	Military
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	4 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	1000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	100
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	100