TIP121G, Darlington Transistors 5A 80V Bipolar Power NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005526803
- Артикул
- TIP121G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2
- Длина
- 10.53 mm
- Серия
- TIP121
- Высота
- 15.75 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный TIP121G от ONSEMI - это надежный компонент для усиления и коммутации электронных схем. Модель TIP121G, выполненная в корпусе TO220AB, предназначена для монтажа в отверстия (THT), что обеспечивает простоту установки. Способен выдерживать ток коллектора до 5 Ампер и напряжение коллектор-эмиттер до 80 Вольт, что делает его подходящим для работы в мощных схемах. Его мощность рассеяния составляет 2 Ватта. Транзистор TIP121G типа NPN Дарлингтон обладает высоким коэффициентом усиления, что позволяет использовать его в различных областях электроники, от промышленного оборудования до потребительской электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN, Дарлингтон Монтаж THT Ток коллектора, А 5 Напряжение коллектор-эмиттер, В 80 Мощность, Вт 2 Корпус TO220AB
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Длина | 10.53 mm |
| Серия | TIP121 |
| Высота | 15.75 mm |
| Ширина | 4.83 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | Darlington Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Категория продукта | Транзисторы Дарлингтона |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный ток отсечки коллектора | 200 uA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 1000 |