Моя заявка (0)
TIP115G, Darlington Transistors 2A 60V Bipolar Power PNP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004739453
Артикул
TIP115G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1
Длина
10.53 mm
Серия
TIP110
Высота
15.75 mm
Цена по запросу
(от 136,48 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Биполярный транзистор TIP115G от производителя ONSEMI – это надежный компонент для усиления и коммутации электрических сигналов. Модель характеризуется типом PNP Дарлингтона, что обеспечивает высокий коэффициент усиления тока. Оснащен корпусом TO220AB, предназначен для монтажа THT, что гарантирует удобство в использовании и монтаже на печатной плате. Транзистор способен управлять током коллектора до 2 А при максимальном напряжении коллектор-эмиттер 60 В и рассеивать мощность до 2 Вт. Модель TIP115G идеально подойдет для разнообразных электронных проектов, требующих высокой надежности и эффективности. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP, Дарлингтон Монтаж THT Ток коллектора, А 2 Напряжение коллектор-эмиттер, В 60 Мощность, Вт 2 Корпус TO220AB

Технические параметры

Вес, г1
Длина10.53 mm
СерияTIP110
Высота15.75 mm
Ширина4.83 mm
УпаковкаTube
Структураpnp
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаDarlington Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-220-3
Категория продуктаТранзисторы Дарлингтона
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности2 W
Размер фабричной упаковки50
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальный ток отсечки коллектора1000 uA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)500, 1000

Техническая документация