Bipolar junction transistor, NPN, 2 A, 80 V, THT, TO-220, TIP111G

Name: Bipolar junction transistor, NPN, 2 A, 80 V, THT, TO-220, TIP111G
Brand: ON Semiconductor***
SKU: 8026529911

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Цена по запросу

(от 160 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор TIP111G НА полупроводнике Предназначен для усилителей общего назначения и низкоскоростныx коммутаторов. Особенности Монолитная конструкция

Width	4.82mm
Version	NPN
Assembly	THT
Enclosure	TO-220
Pin Count	3
Вес, г	0.05
Min DC gain	500 mA
Package Type	TO-220
Корпус	TO-220
Mounting Type	Through Hole
Rated current	2 A
Transistor Type	NPN
Collector current	2 A
Power dissipation	50 W
Saturation voltage	2.5 V
Структура	npn
Minimum DC Current Gain	500
Transit frequency fTmin	4 MHz
Transistor Configuration	Single
Maximum Power Dissipation	50 W
max. operating temperature	150 °C
min. operating temperature	-65 °C
Number of Elements per Chip	1
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Cut-off Current	2mA
Maximum Collector Emitter Voltage	80 V
Maximum Continuous Collector Current	2 A
max.voltage between collector and base Vcbo	80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	2.5 V
max.voltage between collector and emitter Vceo	80 V