TIP111G, Darlington Transistors 2A 80V Bipolar Power NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005377018
- Артикул
- TIP111G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.82mm
- Version
- NPN
- Assembly
- THT
- Enclosure
- TO-220
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный TIP111G от производителя ONSEMI представляет собой надежный компонент для усилительных и коммутационных устройств. Особенностью модели является ее Дарлингтоновская структура типа NPN, обеспечивающая высокое усиление тока. Монтаж выполняется методом THT, что делает транзистор удобным для пайки в отверстия печатной платы. TIP111G характеризуется током коллектора до 2 Ампер и напряжением коллектор-эмиттер до 80 Вольт, при этом мощность рассеивания составляет 2 Вт. Корпус TO220AB обеспечивает эффективный теплоотвод и удобство монтажа. Продукт идеально подходит для применения в различных электронных схемах, где требуются стабильность и долговечность. Купите TIP111G для повышения эффективности ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN, Дарлингтон Монтаж THT Ток коллектора, А 2 Напряжение коллектор-эмиттер, В 80 Мощность, Вт 2 Корпус TO220AB
Технические параметры
| Width | 4.82mm |
| Version | NPN |
| Assembly | THT |
| Enclosure | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6 |
| Min DC gain | 500 mA |
| Package Type | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Rated current | 2 A |
| Transistor Type | NPN |
| Collector current | 2 A |
| Power dissipation | 50 W |
| Saturation voltage | 2.5 V |
| Структура | npn |
| Minimum DC Current Gain | 500 |
| Transit frequency fTmin | 4 MHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 50 W |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -65 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Cut-off Current | 2mA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 2 A |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 2.5 V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 80 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |