Моя заявка (0)

Bipolar junction transistor, PNP, 8 A, 100 V, THT, TO-220, TIP107G

Bipolar junction transistor, PNP, 8 A, 100 V, THT, TO-220, TIP107G

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026546582
Артикул
TIP107G
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor
Width
4.83 mm
Height
15.75 mm
Цена по запросу
(от 150 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор TIP107G НА полупроводнике TIP107G - это биполярный силовой транзистор Дарлингтона PNP мощностью 8 А, предназначенный для усилителей общего назначения и низкоскоростныx коммутаторов. Особенности Дополнительное устройство Монолитная конструкция со встроенными шунтирующими резисторами база-эмиттер

Технические параметры

RoHSDetails
BrandON Semiconductor
Width4.83 mm
Height15.75 mm
Length10.53 mm
SeriesTIP107
VersionPNP
AssemblyTHT
EnclosureTO-220
PackagingTube
Pin Count3
Вес, г2
Unit Weight0.211644 oz
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeTO-220AB
КорпусTO-220
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Rated current8 A
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Transistor TypePNP
Product CategoryDarlington Transistors
Collector current8 A
Power dissipation80 W
Saturation voltage2.5 V
Структураpnp
Transistor PolarityPNP
Factory Pack Quantity50
Minimum DC Current Gain200
Transit frequency fTmin4 MHz
Transistor ConfigurationSingle
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
max. operating temperature150 °C
min. operating temperature-65 °C
Number of Elements per Chip1
Collector- Base Voltage VCBO100 V
Maximum DC Collector Current8 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min200
Maximum Collector Base Voltage100 V
Maximum Collector Cut-off Current50 uA
Maximum Collector Emitter Voltage100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max100 V
Maximum Continuous Collector Current8 A
max.voltage between collector and base Vcbo100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
max.voltage between collector and emitter Vceo100 V

Техническая документация