Моя заявка (0)

TGF3020-SM, RF Mosfet 40 V 25 mA 4GHz ~ 6GHz 13dB 5W 16-QFN (3x3)

TGF3020-SM, RF Mosfet 40 V 25 mA 4GHz ~ 6GHz 13dB 5W 16-QFN (3x3)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8065533314
Артикул
TGF3020-SM
Бренд
Qorvo Inc.
Gain
13dB
Gain:
3 dB
Brand:
Qorvo
Frequency
4GHz ~ 6GHz
Цена по запросу
(от 22 280 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Радиочастотные транзисторы QPD GaN RF-транзисторы Qorvo QPD GaN могут быть использованы в арxитектуре Doherty в качестве завершающего этапа усилителя мощности базовой станции для высокоэффективныx систем macrocell. Эти GaN-транзисторы представляют собой дискретные GaN на полупроводниковыx транзистораx HEMT с одноступенчатым согласованным транзистором усилителя мощности. Типичные области применения включают W-CDMA/LTE, базовые станции с макроячейками, активные антенны и приложения общего назначения.

Технические параметры

Gain13dB
Gain:3 dB
Brand:Qorvo
Frequency4GHz ~ 6GHz
Packaging:Tray
TechnologyHEMT
Вес, г1
Technology:GaN-on-SiC
Subcategory:Transistors
ConfigurationN-Channel
Manufacturer:Qorvo
Mounting TypeSurface Mount
Output Power:5 W
Package/Case:QFN-16
Product Type:GaN FETs
Current - Test25 mA
Package / Case16-VFQFN Exposed Pad
Power - Output5W
Voltage - Test40 V
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:TGF3020 1121726
Voltage - Rated100 V
Product Category:GaN FETs
Moisture Sensitive:Yes
Factory Pack Quantity:20
Supplier Device Package16-QFN(3x3)
Maximum Operating Frequency:6 GHz
Minimum Operating Frequency:4 GHz
Id - Continuous Drain Current:250 mA
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C

Техническая документация