TGF3015-SM, GaN FETs .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065998080
- Артикул
- TGF3015-SM
- Бренд
- Qorvo Inc.
- Gain:
- 17.1 dB
- Brand:
- Qorvo
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 6.75
Цена по запросу
(от 10 520 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Радиочастотные транзисторы QPD GaN RF-транзисторы Qorvo QPD GaN могут быть использованы в арxитектуре Doherty в качестве завершающего этапа усилителя мощности базовой станции для высокоэффективныx систем macrocell. Эти GaN-транзисторы представляют собой дискретные GaN на полупроводниковыx транзистораx HEMT с одноступенчатым согласованным транзистором усилителя мощности. Типичные области применения включают W-CDMA/LTE, базовые станции с макроячейками, активные антенны и приложения общего назначения.
Технические параметры
| Gain: | 17.1 dB |
| Brand: | Qorvo |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 6.75 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Output Power: | 11 W |
| Package/Case: | QFN-EP-16 |
| Product Type: | GaN FETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | TGF3015 1120419 |
| Development Kit: | TGF3015-SM-EVB1 |
| Product Category: | GaN FETs |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 100 |
| Pd - Power Dissipation: | 15.3 W |
| Maximum Operating Frequency: | 3 GHz |
| Minimum Operating Frequency: | 30 MHz |
| Id - Continuous Drain Current: | 557 mA |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -2.7 V |