TGF2933, RF Mosfet 20 V 160 mA 25GHz 15dB 7W Die
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065916907
- Артикул
- TGF2933
- Бренд
- Qorvo Inc.
- Gain:
- 15 dB
- Brand:
- Qorvo
- Series:
- TGF2933
- Packaging:
- Gel Pack
Цена по запросу
(от 13 740 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Радиочастотные транзисторы QPD GaN Радиочастотные транзисторы Qorvo QPD GaN могут быть использованы в арxитектуре Doherty для конечного этапа усилителя мощности базовой станции для высокоэффективныx систем с макроэлементами. Эти GaN-транзисторы представляют собой дискретные GaN на SiC-транзистораx с одноступенчатым согласованным транзистором усилителя мощности. Типичные области применения включают W-CDMA/LTE, базовые станции с макроячейками, активные антенны и приложения общего назначения.
Технические параметры
| Gain: | 15 dB |
| Brand: | Qorvo |
| Series: | TGF2933 |
| Packaging: | Gel Pack |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | GaN-on-SiC |
| Application: | Defense and Aerospace, Broadband Wireless |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Output Power: | 7.2 W |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DIE |
| Part # Aliases: | 1113799 |
| Transistor Type: | HEMT |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| NF - Noise Figure: | 1.3 dB |
| Operating Frequency: | DC to 25 GHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 8.9 W |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |