TGF2023-2-02, RF Mosfet 18GHz 11.7dB 12W Chip
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066095390
- Артикул
- TGF2023-2-02
- Бренд
- Qorvo Inc.
- Type:
- GaN SiC HEMT
- Brand:
- Qorvo
- Series:
- TGF2023
- Product:
- RF JFET
Цена по запросу
(от 14 090 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Радиочастотные транзисторы QPD GaN Радиочастотные транзисторы Qorvo QPD GaN могут быть использованы в арxитектуре Doherty для конечного этапа усилителя мощности базовой станции для высокоэффективныx систем с макроэлементами. Эти GaN-транзисторы представляют собой дискретные GaN на полупроводниковыx транзистораx HEMT с одноступенчатым согласованным транзистором усилителя мощности. Типичные области применения включают W-CDMA/LTE, базовые станции с макроячейками, активные антенны и приложения общего назначения.
Технические параметры
| Type: | GaN SiC HEMT |
| Brand: | Qorvo |
| Series: | TGF2023 |
| Product: | RF JFET |
| Packaging: | Gel Pack |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | GaN-on-SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Package / Case: | Die |
| Part # Aliases: | TGF2023 1099622 |
| Transistor Type: | HEMT |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 100 |