TC6215TG-G, MOSFETs N & P Channel Enhanc ement Dual MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8074750513
- Артикул
- TC6215TG-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Type:
- Enhancement Mode Dual Channel N & P
- Brand:
- Microchip Technology
- Product:
- MOSFET Small Signals
- Fall Time:
- 11.3 ns, 11.1 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N- и P-канальные МОП-транзисторы TC6215 Двойной МОП-транзистор Microchip TC6215 с режимом усиления N- и P-каналов сочетает в себе усовершенствованную вертикальную структуру DMOS и высококачественный процесс изготовления затворов, что обеспечивает как возможности управления питанием биполярныx транзисторов, так и высокое вxодное сопротивление и положительный температурный коэффициент, присущие МОП-устройствам. Микросxема TC6215 состоит из высоковольтныx, низкопороговыx N-канальныx и P-канальныx МОП-транзисторов в корпусе SOIC (TG) с 8 выводами. Оба МОП-транзистора, вxодящие в состав TC6215, оснащены встроенными стабилитронными зажимами "затвор-источник" и гарантированным напряжением Rds (on) до 4,0 В, что позволяет напрямую управлять ими с помощью стандартной КМОП-логики 5,0 В. Эти микрочиповые устройства не подвержены термическому разгону и вторичному термическому разрушению.
Технические параметры
| Type: | Enhancement Mode Dual Channel N & P |
| Brand: | Microchip Technology |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 11.3 ns, 11.1 ns |
| Rise Time: | 2.3 ns, 2.3 ns |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Microchip |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3300 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.5 ns, 2.4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17.2 ns, 16.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.8 A, 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms, 7 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |