TC2320TG-G, MOSFETs N/P Ch 200 Volt
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005543668
- Артикул
- TC2320TG-G
- Бренд
- Microchip Technology
- HTS
- TC2320TG-G
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 308 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| HTS | TC2320TG-G |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.09 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N|P |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Package Width | 3.9 |
| Package Height | 1.65(Max) |
| Package Length | 4.9 |
| EDA / CAD Models | TC2320TG-G by Ultra Librarian |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOIC N |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | SO |
| Typical Fall Time (ns) | 25(Max)@N Channel|15(Max)@P Channel |
| Typical Rise Time (ns) | 15(Max) |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20(Max)@N Channel|10(Max)@P Channel |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 25(Max)@N Channel|20(Max)@P Channel |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 110(Max)@25V@N Channel|125(Max)@25V@P Channel |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7000@10V@N Channel|12000@10V@P Channel |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |