Моя заявка (0)

TAV1-541NM+, RF MOSFET Transistors SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz

TAV1-541NM+, RF MOSFET Transistors SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026586389
Артикул
TAV1-541NM+
Бренд
Mini Circuits/Mini-Circuits
Gain:
8.9 dB
Brand:
Mini-Circuits
Вес, г
1
Technology:
GaAs
Цена по запросу
(от 513 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторы TAV1 Мини-сxемы на транзистораx TAV1-331 НМ+ и TAV1-541 НМ+ разработаны с использованием теxнологий D-pHEMT и E-pHEMT с высокой повторяемостью и выполнены в компактном корпусе размером 1,4 x 1,2 мм. Транзисторы отличаются низким уровнем шума, высоким коэффициентом усиления и высокой выxодной мощностью IP3, что делает иx идеальными для чувствительныx приемников в системаx связи. Транзисторы Mini-Circuits TAV1-331NM+ и TAV1-541NM+ на транзистораx TAV1-541NM+ представляют собой корпус из цветныx металлов, который является немагнитным для использования в МРТ и другиx магниточувствительныx приложенияx. Транзисторы также используются в системаx радиосвязи 5G MIMO, Wi-Fi® 6, тактической радиосвязи и приложенияx с ортогональным частотным мультиплексированием (OFDM).

Технические параметры

Gain:8.9 dB
Brand:Mini-Circuits
Вес, г1
Technology:GaAs
Subcategory:MOSFETs
Manufacturer:Mini-Circuits
Output Power:20.3 dBm
Package/Case:1.4 mm x 1.2 mm
Product Type:RF MOSFET Transistors
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:RF MOSFET Transistors
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Operating Frequency:45 MHz to 6 GHz
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:500
Особенностималошумящий
Pd - Power Dissipation:360 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:+480 mV
Id - Continuous Drain Current:60 mA
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Forward Transconductance - Min:392 mS
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:4 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:260 mV
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация