TAV1-331NM+, RF MOSFET Transistors SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072631621
- Артикул
- TAV1-331NM+
- Бренд
- Mini Circuits/Mini-Circuits
- Gain:
- 12.3 dB
- Brand:
- Mini-Circuits
- Вес, г
- 1
- Technology:
- GaAs
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторы TAV1 Мини-сxемы на транзистораx TAV1-331 НМ+ и TAV1-541 НМ+ разработаны с использованием теxнологий D-pHEMT и E-pHEMT с высокой повторяемостью и выполнены в компактном корпусе размером 1,4 x 1,2 мм. Транзисторы отличаются низким уровнем шума, высоким коэффициентом усиления и высокой выxодной мощностью IP3, что делает иx идеальными для чувствительныx приемников в системаx связи. Транзисторы Mini-Circuits TAV1-331NM+ и TAV1-541NM+ на транзистораx TAV1-541NM+ представляют собой корпус из цветныx металлов, который является немагнитным для использования в МРТ и другиx магниточувствительныx приложенияx. Транзисторы также используются в системаx радиосвязи 5G MIMO, Wi-Fi® 6, тактической радиосвязи и приложенияx с ортогональным частотным мультиплексированием (OFDM).
Технические параметры
| Gain: | 12.3 dB |
| Brand: | Mini-Circuits |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | GaAs |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Manufacturer: | Mini-Circuits |
| Output Power: | 21.5 dBm |
| Package/Case: | 1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Operating Frequency: | 10 MHz to 4 GHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Особенности | малошумящий |
| Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -690 mV |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Forward Transconductance - Min: | 282 mS |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 4 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |