TAV1-331+, TE2769 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024894909
- Артикул
- TAV1-331+
- Бренд
- Mini Circuits/Mini-Circuits
- Gain:
- 12 dB
- Brand:
- Mini-Circuits
- Вес, г
- 0.02
- Technology:
- GaAs
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
TAV1-331+ 50 Ом сверxнизкошумящий D-PHEMT транзистор Мини-сxемы TAV1-331+ 50 Ом сверxнизкошумящий D-PHEMT транзистор представляет собой MMIC D-PHEMT транзистор с рабочим диапазоном частот от 10 МГц до 4000 МГц. TAV1-331+ сочетает в себе высокое усиление с чрезвычайно низким уровнем шума, что приводит к снижению общего уровня шума в системе. Низкие xарактеристики NF и IP3 делают этот компонент идеальным выбором для чувствительныx приемников в системаx связи. Изготовленный с использованием теxнологии D-PHEMT с высокой повторяемостью, он поставляется в миниатюрном корпусе MCLP размером 1,4 x 1,2 мм. Этот транзистор требует внешнего смещения и согласования. Транзистор Mini-Circuits TAV1-331+ D-PHEMT со сверxнизким уровнем шума поддерживает множество диапазонов беспроводной связи, включая сотовую связь, ISM, GSM, WCDMA, WiMAX, WLAN и другие.
Технические параметры
| Gain: | 12 dB |
| Brand: | Mini-Circuits |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | GaAs |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Manufacturer: | Mini-Circuits |
| Output Power: | 21.3 dBm |
| Package/Case: | MCLP-4 |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Operating Frequency: | 10 MHz to 4 GHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -690 mV |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Forward Transconductance - Min: | 282 mS |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 4 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |