T2N7002BK,LM, 60V 400mA 320mW 1.5Ohm@10V,100mA 2.1V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017601695
- Артикул
- T2N7002BK,LM
- Бренд
- Toshiba
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.04
Цена по запросу
(от 6 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В, 400 мА, 320 МВт 1.5Ohm@10V,100мА 2.1V@250uA 1шт Канальные МОП-транзисторы SOT-23 ROHS
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.04 |
| Корпус | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 100mA, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 320mW(Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.1V @ 250uA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.5О© @ 100mA,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 320mW |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40 pF @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 400mA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA(Ta) |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.32 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5Ом |