T2N7002AK,LM, Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002210126
- Артикул
- T2N7002AK,LM
- Бренд
- Toshiba
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Brand:
- Toshiba
- Series
- U-MOSVII-H ->
Цена по запросу
(от 5 ₽)
Минимальный заказ: 6000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 60 В 200 мА (Ta) 320 МВт (Ta) для поверxностного монтажа SOT-23
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Brand: | Toshiba |
| Series | U-MOSVII-H -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Fall Time: | 24 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 270 pC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | 2SC2655 -> |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9Ohm @ 100mA, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Power Dissipation (Max) | 320mW (Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.35nC @ 4.5V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 7 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 450 mS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.9 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17pF @ 10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 200mA (Ta) |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.32 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.9 Ohms |