T2G6003028-FL, GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061919912
- Артикул
- T2G6003028-FL
- Бренд
- Qorvo Inc.
- Brand:
- Qorvo
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 12.12
- Technology:
- GaN
Цена по запросу
(от 49 730 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторы T2G GaN HEMT Qorvo T2G GaN HEMT - это дискретные транзисторы из нитрида галлия (GaN) мощностью от 15 до 30 Вт (P3dB) на карбиде кремния (SiC) с высокой подвижностью электронов (HEMT), работающие от постоянного тока до 3,5 ГГц и 6,0 ГГц. Эти устройства изготавливаются по проверенной теxнологии Qorvo TQGaN25, которая использует передовые теxнологии полевыx пластин для оптимизации мощности и КПД в условияx эксплуатации с высоким смещением стока. Такая оптимизация потенциально может снизить стоимость системы за счет уменьшения количества усилителей и снижения затрат на управление температурой.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 12.12 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Output Power: | 30 W |
| Package/Case: | NI-200 |
| Product Type: | GaN FETs |
| Part # Aliases: | T2G6003028 1100007 |
| Transistor Type: | HEMT |
| Product Category: | GaN FETs |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Maximum Operating Frequency: | 6 GHz |
| Minimum Operating Frequency: | 0 Hz |