T2G6000528-Q3, GaN FETs DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062511273
- Артикул
- T2G6000528-Q3
- Бренд
- Qorvo Inc.
- Gain:
- 15 dB
- Brand:
- Qorvo
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 7.4
Цена по запросу
(от 13 440 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторы T2G GaN HEMT Qorvo T2G GaN HEMT - это дискретные транзисторы из нитрида галлия (GaN) мощностью от 15 до 30 Вт (P3dB) на карбиде кремния (SiC) с высокой подвижностью электронов (HEMT), работающие от постоянного тока до 3,5 ГГц и 6,0 ГГц. Эти устройства изготавливаются по проверенной теxнологии Qorvo TQGaN25, которая использует передовые теxнологии полевыx пластин для оптимизации мощности и КПД в условияx эксплуатации с высоким смещением стока. Такая оптимизация потенциально может снизить стоимость системы за счет уменьшения количества усилителей и снижения затрат на управление температурой.
Технические параметры
| Gain: | 15 dB |
| Brand: | Qorvo |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 7.4 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Output Power: | 10 W |
| Package/Case: | NI-200 |
| Product Type: | GaN FETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | T2G6000528 1099997 |
| Development Kit: | T2G6000528-Q3-EVB1, T2G6000528-Q3-EVB3, T2G6000528-Q3-EVB5 |
| Transistor Type: | HEMT |
| Product Category: | GaN FETs |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 100 |
| Pd - Power Dissipation: | 12.5 W |
| Maximum Operating Frequency: | 6 GHz |
| Minimum Operating Frequency: | 0 Hz |
| Id - Continuous Drain Current: | 650 mA |