SVD5865NLT4G, DPAK-4 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025031837
- Артикул
- SVD5865NLT4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- Yes
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 44,52 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 60V 10A Автомобильный AEC-Q101 3-контактный(2+Tab) DPAK T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Yes |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.46 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 6.22(Max)mm |
| Package Length | 6.73(Max)mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | TO-252 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 4.4 |
| Typical Rise Time (ns) | 12.4 |
| Особенности | - |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3100 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 29 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 15@4.5V|29@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.4 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 26 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 10 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1400@25V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 16@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 39 mOhms |