SUP85N10-10-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070146586
- Артикул
- SUP85N10-10-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 4.7mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 2
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 774 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 4.7mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 250Вт |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 250 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 10.5 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.0085Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 85 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 85А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |